武汉普赛斯仪表有限公司

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IGBT模组动态参数测试仪器

2024-11-30 12:00:01  608次浏览 次浏览
价 格:面议

IGBT模组动态参数测试仪器认准武汉生产厂家普赛斯仪表,普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、脉冲式源表、集成插卡式源表、窄脉冲电流源、高精度高压电源等,填补国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺,为客户提供模块化硬件、驱动程序和算法软件组合,帮助用户构建自定义解决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台,以及相关技术服务,满足行业对测试效率、测试精度,以及低成本的挑战。详询一八一四零六六三四七六

那么IGBT器件静态参数测试需要哪些仪器呢?

E系列高电压源测单元具有输出及测量电压高3000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在象限,输出及测量电压0~3000V输出及测量电流0~100mA支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

E300高电压源测单元

P系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表,汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲输出电流达10A,Z大输出电压达300V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表适用于各行各业使用者,特别适合现代半导体、纳米器件和材料、有机半导体、印刷电子技术以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

P系列脉冲源表

总之,IGBT模组动态参数测试需要的仪器是一系列的,具体可以找生产厂家普赛斯仪表为您提供检测方案哦!

选择普赛斯仪表的理由:

1、国产自主研发

技术雄厚,多项砖利,自主可控

2、可定制化方案

聚焦鲜进器件,提供成熟可落地定制化方案

3、对标进口

国货精品,品质保障,对标进口产品

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